STI埋层的高光电流和低暗计数率单光子雪崩二极管

• 作者: 彭亚男 彭艳 曾朵朵 杨红姣 罗均 蒲华燕 金湘亮
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 单光子雪崩二极管 边缘击穿 暗计数率 互补金属氧化物半导体 光子探测概率
• 年，卷（期）: 2019,（2）
• 页码范围: 149-153
• 页数: 5页
• 分类号: TN313
• 字数: 462字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2019.02.004

摘要

研究和分析了一种0.18 μm CMOS工艺单光子雪崩二极管(SPAD),其结构能抑制过早的边缘击穿(PEB),同时获得较大的光电流和低的暗计数率(DCR).该SPAD由p-well/deep n-well的感光结,deep n-well 向上扩散形成的区域和边缘Shallow Trench Isolation (STI)共同形成的保护环组成.通过测试确定了与光电流和暗率有关的STI层的大小.结果证明,在STI层与保护环之间的重叠区域为1μm时,SPAD的暗计数率和光电流最佳.此外,直径为10 μm的圆形SPAD器件的暗计数率为208 Hz,且在波长为510 nm时峰值光子探测概率为20.8％,此时具有低的暗计数率和高的探测效率以及宽的光谱响应特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗均	上海大学机电工程与自动化学院	82	634	13.0	21.0
2	彭艳	上海大学机电工程与自动化学院	26	124	7.0	11.0
3	金湘亮	湘潭大学物理与光电工程学院	50	124	6.0	8.0
5	蒲华燕	上海大学机电工程与自动化学院	10	26	2.0	5.0
6	杨红姣	湘潭大学物理与光电工程学院	9	39	4.0	6.0
9	彭亚男	湘潭大学物理与光电工程学院	2	0	0.0	0.0
10	曾朵朵	湘潭大学物理与光电工程学院	2	0	0.0	0.0