基于0.11μm CMOS工艺的时域SAR模数转换器

• 作者: 李莎
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS 模拟数字转换器(ADC) 时域比较器 逐次逼近寄存器(SAR)
• 年，卷（期）: 2016,（2）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 285-290
• 页数: 6页
• 分类号: TN69.2
• 字数: 2272字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2016.02.010

摘要

为避免因多种延迟线之间不匹配造成的线性退化，提出了一种基于时域比较器的逐次逼近型SAR（Successive Approximation Register）模数转换器。通过使用单个延迟线来实现该模转换器的时域比较器，此延迟线包括数控延迟线和压控延迟线。提出的模数转换器具有8个有效位，使用面积为0.128 mm2的0.11μm CMOS工艺实现。实验结果表明，当工作电源电压低至0.6 V时，提出的时域SAR模数转换器功耗为1.8μW。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李莎	西南林业大学计算机与信息学院	13	7	2.0	2.0