GaN厚膜翘曲应力特性

• 作者: 刘辉昭 史俊杰 张蔷 李佳 李杰
• 来源期刊: 河北工业大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN厚膜 蓝宝石 弛豫 应变 应力
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 页码范围: 16-20
• 页数: 5页
• 分类号: TN30
• 字数: 2716字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14081/j.cnki.hgdxb.2016.03.003

摘要

基于GaN厚膜在蓝宝石基底上外延生长过程中膜厚方向的晶格常数从界面到膜表面呈现弛豫特征的实验结果,建立了一个描述膜厚方向的正应变的力学模型,称为“弛豫模型”,进而计算和讨论了GaN膜边缘处的应力和应变沿膜厚方向的变化,GaN和基底界面处的应力在面内的变化以及中心处的应力和应变沿膜厚方向的变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李佳	河北工业大学理学院	24	44	4.0	5.0
2	李杰	河北工业大学理学院	57	542	14.0	21.0
3	刘辉昭	河北工业大学理学院	20	4	1.0	1.0
4	史俊杰	北京大学宽禁带半导体研究中心人工微结构和介观物理国家重点实验室物理学院	6	5	1.0	2.0
5	张蔷	河北工业大学理学院	1	0	0.0	0.0