微型化钴基薄带中的巨磁阻抗效应

• 作者: 周勇 杨真 樊天麒 雷冲
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 微电子机械系统(MEMS) Co基薄带 巨磁阻抗(GMI)效应 外加磁场 匝数
• 年，卷（期）: 2016,（8）
• 所属期刊栏目: MEMS与传感器
• 页码范围: 515-519,534
• 分类号: TH703
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2016.08.004

摘要

采用键合、光刻和电镀等微机电系统(MEMS)微细加工技术制备了不同结构的微型化Co基薄带.微型化Co基非晶薄带采用VACUUMSHMELZE公司生产的VC6025Z型材料,其结构设计为曲折型不同匝数(1～3匝).在1～40 MHz频率内,研究了外加磁场的方向以及传感器的匝数对巨磁阻抗(GMI)效应的影响.研究发现,巨磁阻抗效应均呈现负值,这与材料本身具有较大的矫顽力这一属性有关.与外加横向磁场时的GMI效应相比,当外加磁场为纵向时,获得较大的巨磁阻抗效应负值.在电流频率为10 MHz、磁场强度120 Oe(1 A·m-1 =4π×10-3Oe)时,巨磁阻抗变化率达到最大值-64.2％.随着匝数的增加,巨磁阻抗变化率的最大值由1匝的-31.2％增加到3匝的-64.2％.GMI效应均有相同的变化趋势,随磁场强度的增加而降低,在某一磁场下达到负的最大值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周勇	上海交通大学电子信息与电气工程学院	35	473	12.0	21.0
2	樊天麒	上海交通大学电子信息与电气工程学院	1	0	0.0	0.0
3	杨真	上海交通大学电子信息与电气工程学院	1	0	0.0	0.0
4	雷冲	上海交通大学电子信息与电气工程学院	1	0	0.0	0.0