氮化铝陶瓷烧结和显微结构

• 作者: 何晓梅 刘征 高陇桥
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: AlN陶瓷 烧结助剂 显微结构 离子键比例 Y-Al-O二次相
• 年，卷（期）: 2016,（5）
• 所属期刊栏目: 电子材料和封接、封装专辑
• 页码范围: 15-17
• 页数: 3页
• 分类号: TB756
• 字数: 1988字
• 语种: 中文

摘要

本文从理论上分析,烧结助剂及其显微结构会强烈影响AlN陶瓷的热导率性能.根据鲍林元素的“负电性”概念,计算得出Y2O3,Al2O3和AlN的离子键比例分别为76％,63％和47％.文中认为:在烧结终了时,Y-Al-O二次相会沉积于三叉晶界之中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘征		26	158	7.0	11.0
2	高陇桥		69	653	15.0	22.0
3	何晓梅		11	30	3.0	5.0