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摘要:
利用wxAMPS软件构建了高效GaInP/GaAs/Ge太阳电池的中电池模型,并对电池抗辐照性能进行模拟研究。模拟发现,当辐照缺陷密度较小时,缺陷对中电池的电性能影响较小;当缺陷密度较大时,电性能的下降与电子注量值的对数成正比。计算电池的I-V和量子效率谱(QE曲线)可知,电池电性能的下降直接对应于量子效率的下降、饱和暗电流的增强以及并联电阻的衰降。模拟结果与试验结果的对比显示,在各子电池均匀损伤的假定下,1 MeV电子辐照的缺陷引入率约为0.81。
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文献信息
篇名 三结太阳电池高能电子损伤模拟及仿真分析
来源期刊 航天器环境工程 学科 工学
关键词 三结太阳电池 辐照损伤 缺陷密度 量子效率 数值模拟
年,卷(期) 2016,(4) 所属期刊栏目 理论研究与仿真分析
研究方向 页码范围 392-398
页数 7页 分类号 TM914.4
字数 4143字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1673-1379.2016.04.010
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 付帅 哈尔滨工业大学材料科学与工程学院 1 1 1.0 1.0
2 郭宏亮 哈尔滨工业大学材料科学与工程学院 1 1 1.0 1.0
3 江濠鹏 哈尔滨工业大学材料科学与工程学院 1 1 1.0 1.0
4 祝颖欣 哈尔滨工业大学材料科学与工程学院 1 1 1.0 1.0
5 谢凯璇 哈尔滨工业大学材料科学与工程学院 1 1 1.0 1.0
6 王婉晴 哈尔滨工业大学材料科学与工程学院 1 1 1.0 1.0
7 吴宜勇 哈尔滨工业大学材料科学与工程学院 14 126 7.0 11.0
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研究主题发展历程
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三结太阳电池
辐照损伤
缺陷密度
量子效率
数值模拟
研究起点
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
航天器环境工程
双月刊
1673-1379
11-5333/V
大16开
北京市朝阳区民族园路5号
1984
chi
出版文献量(篇)
2212
总下载数(次)
8
总被引数(次)
10138
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