FD-SOI与FinFET互补，是中国芯片业弯道超车机会

• 作者: 迎九
• 来源期刊: 电子产品世界
• 关键词: FD-SOI FinFET 制造
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 所属期刊栏目: 市场观察
• 页码范围: 5-5,4
• 页数: 2页
• 字数: 1691字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-5517.2016.3.002

摘要

本文介绍了Soitec半导体公司的全耗尽绝缘硅（FD-SOI）的特点、最新进展及其生态系统，并将FD-SOI与FinFET作比较，分析了各自的优势、应用领域和应用前景。