阻变随机存储器RRAM专利技术综述

• 作者: 吴琼 孙健 张伟兵
• 来源期刊: 河南科技
• 学科: 工学
• 关键词: 专利 阻变存储器 技术发展
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 所属期刊栏目: 专利导航
• 页码范围: 72-76
• 页数: 5页
• 分类号: TP333
• 字数: 3540字
• 语种: 中文

摘要

阻变存储器由于其具有高速、高密度、可微缩、低功耗、抗辐射、断电后仍然能够保持数据等诸多优点在存储器的发展当中占据着重要地位.本文从专利的角度出发,研究了阻变存储器领域的专利申请的基本情况和阻变存储器技术的发展脉络,为国内阻变存储器技术的研究和专利的申请与布局提供一定的借鉴.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴琼		8	6	2.0	2.0
2	孙健		6	2	1.0	1.0
3	张伟兵		1	1	1.0	1.0