GaN薄膜外延过程的动力学蒙特卡洛仿真

• 作者: 冯兰胜 张进成 过润秋
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 动力学蒙特卡罗 反应模型 反应动力学
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 页码范围: 167-171
• 页数: 5页
• 分类号: TN204
• 字数: 3436字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2016.03.029

摘要

为更好研究GaN材料的生长机理,提出了一种在金属有机物化学气相淀积系统中生长GaN的化学反应生长模型,并结合动力学蒙特卡罗方法模拟了垂直喷淋武金属有机物化学气相淀积系统中GaN的生长过程,模拟结果表明,在垂直喷淋式金属有机物化学气相淀积系统中生长GaN时,首先发生加合反应,随着反应物逐步接近高温衬底,再转变为热解反应,最终生成GaN.GaN的生长速率随温度的升高而升高,而衬底的表面温度均匀性会直接影响最终材料的表面形貌.文中还在动力学蒙特卡罗方法中模拟了反应粒子在衬底表面的扩散和脱附过程,这些过程均主要受温度的影响,并影响材料的表面形貌和生长速率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	过润秋	西安电子科技大学机电工程学院	31	374	11.0	18.0
2	张进成	西安电子科技大学微电子学院	19	65	5.0	7.0
3	冯兰胜	西安电子科技大学机电工程学院	5	7	2.0	2.0