IGS电离层图内插区域电离层电子含量精度分析

• 作者: 周金国 崔书珍 葛山运 邓军
• 来源期刊: 全球定位系统
• 学科: 地球科学
• 关键词: 克里金法插值 电离层图 电离层垂直总电子含量
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 所属期刊栏目: 技术应用
• 页码范围: 57-62
• 页数: 6页
• 分类号: P228.4
• 字数: 3324字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13442/j.gnss.1008-9268.2016.03.012

摘要

本文以重庆CORS网2007年第247天5个基准站观测数据为例,首先采用平滑伪距观测值解算各个基准站上空的VTEC值,然后将其中的4个测站穿刺点处的VTEC值采用克里金插值法内插YUBE站上空的穿刺点处的VTEC,发现克里金插值法内插的电离层穿刺点的VTEC值精度是可靠的,且比高精度的广义三角级数函数模型计算精度更高.再利用IGS电离层图,采用电离层穿刺点周围4个电离层图点和包含电离层穿刺点的所有格网点内插BANA站整点时刻的电离层VTEC值,经比较发现两者的内插精度基本一致.最后,利用包含电离层穿刺点的所有IGS电离层图点内插重庆CORS网5个基准站上空的整点时刻电离层VTEC值,经分析发现由IGS电离层图内插的5个基准站上空的VTEC值均比采用平滑伪距观测值解算的VTEC值偏大,约3.454 TECU,且插值结果精度低于广义三角级数函数模型计算精度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓军		35	131	7.0	10.0
2	葛山运		10	13	2.0	3.0
3	周金国		14	69	4.0	7.0
4	崔书珍		13	45	3.0	6.0