Cr2AlC 中空位相关属性及电子结构的第一性原理研究

• 作者: 彭飞
• 来源期刊: 西北师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: Cr2AlC 第一性原理 空位 形成能 共价键
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 所属期刊栏目: ?物理学?
• 页码范围: 27-31
• 页数: 5页
• 分类号: TL99
• 字数: 2882字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16783/j.cnki.nwnuz.2016.04.007

摘要

通过第一性原理研究了Cr2 AlC中空位对其结构和电子性质的影响．在Cr2 AlC中， Cr ，Al和C空位形成能分别为1.15 eV（Cr‐poor）、－1.93 eV（Cr‐rich），2.02 eV（Al‐poor）、－4.38 eV（Al‐rich）和1.14 eV（C‐rich）、－3.05 eV （C‐poor）．计算结果表明， Al空位的形成能相对较大，这意味着在Cr2 AlC中， Al空位最不容易形成；在一定温度下，Cr2AlC中Al空位的浓度较低；通过态密度的研究发现，在Cr2AlC中，Cr‐C共价键和Cr‐Al金属键共存；当形成Al空位时， Cr2 AlC的导电性明显降低．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	彭飞	上海电子信息职业技术学院电子工程系	3	3	1.0	1.0