基于联电55纳米超低功耗工艺物联网平台

• 作者: 丁肇诚 史义顺 林诗清 许世弦 陈企扬 陈宏铭
• 来源期刊: 中国集成电路
• 关键词: 超低功耗 物联网 片上系统
• 年，卷（期）: 2016,（10）
• 所属期刊栏目: 设计
• 页码范围: 26-34
• 页数: 9页
• 字数: 5630字
• 语种: 中文

摘要

随着工艺技术的发展,55纳米工艺技术已逐渐成为低功耗芯片的主流工艺.作为集成电路最新技术代表,MCU已经成为集成电路设计领域的研究热点并得到越来越广泛的应用.对电池供电的便携式设备而言,除了要考虑性能和成本外,功耗问题已经成为一个重要的因素.本文选择对ARM Cortex-M3进行低功耗设计,ARM Cortex-M系列作为全球应用最广的CPU,其在低功耗方面的表现令人满意.1M字节的大容量嵌入式闪存可以储存所需的代码与数据.低功耗锁相环与振荡器IP使用于本平台.为降低芯片负载波动及电源干扰对系统输出的影响以提高芯片性能,一种无片外电容低压差线性稳压器IP也用于本平台.本文使用的12位SAR ADC原理简单、电路易实现,并且由于中等速度、中等分辨率和较低功耗而广泛应用于嵌入式系统中.本文的低功耗平台设计,不但降低了功耗,更获得了在超低功耗工艺节点的设计经验,利于向需要低功耗的微控制器与物联网应用推广.