大尺寸四硼酸锂压电晶体转向生长

• 作者: 侍敏莉 张爱琼 徐家跃 李欣 申慧 陆宝亮
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 四硼酸锂晶体 坩埚下降法 大尺寸晶体生长 转向晶体生长
• 年，卷（期）: 2016,（10）
• 页码范围: 1435-1439
• 页数: 5页
• 分类号: O482
• 语种: 中文
• DOI: 10.14062/j.issn.0454-5648.2016.10.07

摘要

四硼酸锂(Li2B4O7, LBO)晶体是一种性能优异的压电基片材料，坩埚下降法生长的直径为76mm LBO晶体已成功应用于声表面波(SAW)和体波(BW)器件。由于硼酸盐熔体粘度大、晶体易开裂，生长直径为102 mm的LBO晶体产业化还有很大难度。本工作根据坩埚下降法技术特点，提出了转向生长LBO晶体的工艺方案，成功生长出60 mm×110 mm×120 mm板状晶体。晶体沿[001]方向快速生长，侧面主面为(110)。生长的板状晶体经准确定向、加工后即可获得高度60 mm、直径为102mm(4in)的[110]取向LBO晶体，生长速率和晶体产率较传统方法都有显著提高。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐家跃	上海应用技术大学材料科学与工程学院晶体生长研究所	87	198	6.0	9.0
2	申慧	上海应用技术大学材料科学与工程学院晶体生长研究所	24	34	3.0	4.0
3	张爱琼	中国科学院上海硅酸盐研究所	6	28	4.0	5.0
4	陆宝亮	上海应用技术大学材料科学与工程学院晶体生长研究所	4	5	1.0	2.0
5	侍敏莉	中国科学院上海硅酸盐研究所	8	38	4.0	6.0
6	李欣	上海应用技术大学材料科学与工程学院晶体生长研究所	1	1	1.0	1.0