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摘要:
RTS噪声是探测小尺寸器件缺陷的有效手段,是表征纳米MOSFET’器件可靠性的重要敏感参数,为了能够准确测量RTS噪声并提取特征参量,设计了具有二级抑噪的低噪声偏置电路,采用双通道互谱测量法对RTS噪声进行测量,利用EMD处理非平稳噪声信号后对参量进行提取.实验结果表明,相同采样点时,参量提取的误差比传统方法减小30%.相同精度时,采样点仅为传统方法采样数目的1/10.
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文献信息
篇名 基于RTS噪声测量与参量的提取
来源期刊 电力电子技术 学科 工学
关键词 噪声 互谱测量 特征参量
年,卷(期) 2016,(8) 所属期刊栏目 器件与测试
研究方向 页码范围 103-105
页数 3页 分类号 TM937.4
字数 1967字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 陈晓娟 长春理工大学电子信息工程学院 13 47 4.0 6.0
2 樊欣欣 东北电力大学信息工程学院 2 10 1.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
噪声
互谱测量
特征参量
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电力电子技术
月刊
1000-100X
61-1124/TM
大16开
西安朱雀大街94号
52-44
1967
chi
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