纳米MOS器件RTS噪声测量与分析

• 作者: 包军林 庄奕琪 张鹏 李伟华 马中发 鲍立
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 随机电报信号噪声 噪声测量 虚拟仪器 纳米MOS器件
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 页码范围: 1041-1045
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 2806字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2008.06.017

摘要

提出了一种基于虚拟仪器的纳米MOS器件随机电报信号噪声测量方法.应用虚拟仪器平台采集随机电报信号噪声的时间序列,采用逐点差分和高斯函数拟合方法,提取了随机电报信号噪声的相对幅度,再通过数字滤波和指数函数拟合方法提取随机电报信号噪声时常数.通过对90 Nm MOS器件的测量分析,结果表明该方法不但计算速度远高于传统方法,而且在相同精度要求下,需要的采样点仅为传统方法的1/10.在随机电报信号时常数较小的情况下,测量精度为传统方法的几倍到几十倍.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	庄奕琪	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	183	1168	15.0	22.0
2	包军林	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	43	306	10.0	16.0
3	马中发	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	9	34	3.0	5.0
4	张鹏	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	61	245	8.0	11.0
5	李伟华		16	98	6.0	9.0
6	鲍立	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	6	24	4.0	4.0