强激光照射对3 C-SiC晶体电子特性的影响

• 作者: 邓发明 高涛
• 来源期刊: 化学研究与应用
• 学科: 化学
• 关键词: 3C-SiC 电子特性 激光照射 密度泛函微扰理论
• 年，卷（期）: 2016,（5）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 681-687
• 页数: 7页
• 分类号: O613.72
• 字数: 4651字
• 语种: 中文

摘要

运用赝势和密度泛函微扰理论的从头计算方法,对具有闪锌矿结构的3C-SiC晶体在强激光照射下的电子特性进行了研究.发现3C-SiC平衡晶格参数随电子温度Te的升高在逐渐增大;当Te在0eV~1.5eV范围内增大时,价带顶和导带底向低能量方向移动;当Te>1.5eV以后,价带顶和导带底向高能量方向移动;当Te在0eV~5eV范围内时,带隙随电子温度升高也增大.Te超过5.1eV后,价带顶穿越费米能级而导致金属性增强.在Te=0eV和Te=8eV处,计算了3C-SiC晶体的总电子态密度和分波态密度;电子结构表明Te=0eV时,3C-SiC是一个带有带隙为1.31eV的间接带隙半导体;在Te=8eV时,带隙已经消失而呈现出金属特性,表明当电子温度升高时晶体的共价键变弱、金属键增强,晶体经历了一个熔化过渡到金属状态.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高涛	四川大学原子与分子物理研究所	71	281	9.0	13.0