英飞凌推出1200V碳化硅MOSFET技术助力电源转换设计达到前所未有的效率和性能

• 来源期刊: 变频器世界
• 学科: 工学
• 关键词: MOSFET 电源转换 碳化硅 转换设计 性能 技术 股份公司 功率密度
• 年，卷（期）: 2016,（5）
• 页码范围: 20-20
• 页数: 1页
• 分类号: TN386.1

摘要

英飞凌科技股份公司推出革命性的碳化硅（SiC）MOSFET技术，使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。英飞凌的CoolSiC^TM MOSFET具备更大灵活性，可提高效率和频率。它们将有助于电源转换方案的开发人员节省空间、减轻重量、降低散热要求，并提高可靠性和降低系统成本。