GaInAsN光伏材料的研究进展

• 作者: 孙文华 董琛 韩修训 高欣
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: GaInAsN 外延生长 太阳能电池
• 年，卷（期）: 2016,（15）
• 页码范围: 19-24
• 页数: 6页
• 分类号: TM914
• 字数: 5472字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11896/j.issn.1005-023X.2016.015.003

摘要

GaInAsN能与GaAs、Ge等重要衬底晶格匹配，并同时满足三结或四结太阳能电池的带隙要求，因而备受瞩目。但目前制备高质量的GaInAsN材料仍十分困难，主要原因在于N在GaInAs中的固溶度特别低，难以实现均匀并入，由此产生的N缺陷很大程度上降低了该材料体系的光电性能。总结了近年来GaInAsN薄膜材料应用于太阳能电池的研究进展，介绍了GaInAsN材料体系的研究历程和基本物理特性，分析了GaInAsN材料体系存在的关键问题，讨论了目前优化GaInAsN薄膜质量和太阳能电池性能的方法。在此基础之上，对GaInAsN光伏材料的研究发展趋势做了展望。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高欣	兰州空间技术物理研究所真空技术与物理重点实验室	6	11	2.0	3.0
2	韩修训	中国科学院兰州化学物理研究所清洁能源化学与材料实验室	4	71	3.0	4.0
3	董琛	中国科学院兰州化学物理研究所清洁能源化学与材料实验室	1	1	1.0	1.0
7	孙文华		1	1	1.0	1.0