氧化硅薄膜中掺杂Tb3＋离子的发光敏化

• 作者: 刘金金 徐明祥
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Tb3+ 硅基材料 荧光分析法 溶胶凝胶法
• 年，卷（期）: 2016,（12）
• 所属期刊栏目: ?材料合成及性能?
• 页码范围: 1464-1470
• 页数: 7页
• 分类号: O473|O482.31
• 字数: 3515字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20163712.1464

摘要

采用溶胶-凝胶法在硅片上制备了掺杂稀土离子Tb3+的SiO2薄膜,并用荧光分析方法研究了薄膜的发光特性,对发光效果的提升途径做了探索和分析。在245 nm波长的激发下,能够观察到Tb3+的5 D4-7 FJ (J=6,5,4,3)的跃迁发射峰。对于Tb3+离子的高浓度掺杂体系,在掺入富Si或Al3+离子后,浓度猝灭效应能得到明显改善。同时掺入两种激活剂的样品发光强度较只掺Al3+的样品大了近一倍。此外,氩气氛退火引入氧空位缺陷也能使样品的发光强度有较大提升,氩气氛退火的最佳温度为1200℃。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘金金	东南大学物理系	1	1	1.0	1.0
2	徐明祥	东南大学物理系	2	2	1.0	1.0