Modeling of trap-assisted tunneling on performance of charge trapping memory with consideration of trap position and energy level

• 来源期刊: 中国物理B（英文版）
• 关键词: trap assisted tunneling charge trapping memory tunneling oxide degradation
• 年，卷（期）: 2016,（8）
• 页码范围: 447-451
• 页数: 5页
• 语种: 中文
• DOI: 10.1088/1674-1056/25/8/088502