| 篇名 | Bandgap narrowing in the layered oxysulfide semiconductor Ba3Fe2O5Cu2S2∶ Role of FeO2 layer | ||
| 来源期刊 | 中国物理B(英文版) | 学科 | |
| 关键词 | oxychalcogenides semiconductor antiferromagnetic bandgap narrowing | ||
| 年,卷(期) | 2016,(2) | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 306-311 | |
| 页数 | 6页 | 分类号 | |
| 字数 | 语种 | 中文 | |
| DOI | 10.1088/1674-1056/25/2/026101 | ||