电子辐照对SiC陶瓷微观结构与辐致发光性能的影响

• 作者: 周新贵 杨自春 赵爽
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电子辐照 碳化硅陶瓷 微观结构 辐致发光
• 年，卷（期）: 2016,（6）
• 页码范围: 860-865
• 页数: 6页
• 分类号: TB321
• 语种: 中文
• DOI: 10.14062/j.issn.0454-5648.2016.06.13

摘要

以聚碳硅烷(PCS)为原料,通过聚合物裂解法分别在1 100和l 800℃制备出SiC陶瓷.用1.8 MeV电子源(辐照强度为5 360 Gy/S、总剂量约为20 MGy、辐照温度为200℃)对其进行辐照.对SiC陶瓷辐照前后的结构以及辐照后的辐致发光谱进行分析.结果表明:1100和1 800℃得到的SiC陶瓷X射线衍射谱中最强峰强度分别下降了48.7％和50.5％,辐照区域晶粒变小,说明SiC陶瓷辐照后晶体结构发生了明显无定形化.1 800℃得到的SiC陶瓷辐照后局部区域出现了C元素富集.聚合物裂解法制备的SiC陶瓷中游离碳含量较高,导致其辐致发光强度低(＜0.1).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周新贵	国防科技大学新型陶瓷纤维及其复合材料国家重点实验室	93	1060	19.0	27.0
2	杨自春	海军工程大学舰船高温结构复合材料研究室	158	666	12.0	18.0
3	赵爽	海军工程大学舰船高温结构复合材料研究室	10	12	1.0	3.0