电子束辐照对 GaN 基 LED 发光性能的影响

• 作者: 于莉媛 侯莎 牛萍娟 邢海英
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电子束辐照 LED 发光性能 氮化镓
• 年，卷（期）: 2012,（8）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 869-872
• 分类号: TN305.94
• 字数: 2473字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20123308.0869

摘要

研究了不同能量的电子束辐照对GaN基发光二极管(Light emitting diode,LED)发光性能的影响.利用实验室提供的电子束模拟空间电子辐射,对GaN基LED外延片进行1.5,3.0,4.5 MeV电子束辐照实验,并应用光致发光(Photoluminescence,PL)谱测试发光性能.结果表明:在1.5 MeV电子束辐照下,采用10 kGy剂量辐照时,LED的发光强度增加约25％；而在100 kGy剂量辐照时,LED的发光强度降低约16％.3 MeV的电子束辐照可使原来色纯度不高的LED的色纯度变好,而更高能量的辐照将会引起器件失效.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	牛萍娟	天津工业大学电气工程与自动化学院	123	617	13.0	17.0
3	于莉媛	天津工业大学电气工程与自动化学院	20	63	5.0	7.0
9	邢海英	天津工业大学电子与信息工程学院	9	38	3.0	6.0
13	侯莎	天津工业大学电子与信息工程学院	3	15	1.0	3.0