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摘要:
针对记录器高速存储的需要,对基于FPGA和NANDFLASH的高速数据存储系统进行了优化设计。该设计通过采用交替双平面的编程方式,对存储器的存储速率进行了优化,使存储速率达到单片Flash最高存储速率的两倍,即60 Mbit/s;采用双绞线和电缆延展芯片组,对传输质量进行优化;采用边擦除边写入的方式对存储逻辑进行了优化。在器件选择方面,采用LVDS构成接口电路,FPGA控制逻辑电路。该优化设计的可行性和可靠性已通过工程实践验证。
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文献信息
篇名 一种高速数据存储系统的优化设计
来源期刊 电子器件 学科 工学
关键词 FPGA 高速存储 LVDS 逻辑设计
年,卷(期) 2016,(4) 所属期刊栏目 电子电路设计分析及应用
研究方向 页码范围 816-819
页数 4页 分类号 TP301.6
字数 2079字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1005-9490.2016.04.013
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 任勇峰 中北大学电子测试技术国家重点实验室 138 969 15.0 23.0
5 贾兴中 中北大学电子测试技术国家重点实验室 20 67 5.0 7.0
6 刘兴俊 中北大学电子测试技术国家重点实验室 4 13 2.0 3.0
7 尉易庆 中北大学电子测试技术国家重点实验室 1 2 1.0 1.0
8 吴利兵 1 2 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
FPGA
高速存储
LVDS
逻辑设计
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子器件
双月刊
1005-9490
32-1416/TN
大16开
南京市四牌楼2号
1978
chi
出版文献量(篇)
5460
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