一种基于NAND Flash的多通道存储系统编址方式研究与实现

• 作者: 唐磊 赵倩
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: NAND Flash 多通道 FVLA 超级页 地址映射
• 年，卷（期）: 2018,（9）
• 页码范围: 32-36
• 页数: 5页
• 分类号: TP334.5
• 语种: 中文

摘要

针对NAND Flash存储器的工作原理和物理特性,大容量固态存储系统可以引入多通道并行技术来支持高速数据传输.文章针对闪存阵列存储系统提出了一种新的编址方式-FVLA(Flash Virtual Layer Address),该编址方式能很好地体现闪存系统的驱动顺序,而且具有灵活的可配置性.利用该编址方式设计出一种基于超级页的地址映射方法,通过仿真证明了该映射方式能很好地执行并行操作并大幅降低了映射表所占用的存储空间.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐磊		7	17	3.0	4.0
2	赵倩		1	6	1.0	1.0