原文服务方: 微电子学与计算机       
摘要:
NAND Flash在需要大容量非易失性存储的嵌入式应用中占有不可或缺的地位.在对NAND Flash控制器的一般结构和实现方法研究的基础上,提出了两级高速缓存流水结构的新型NAND Flash控制器解决方案,是一种高效率的设计.给出了控制器的性能分析、仿真验证和综合结果.
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状态机
K9F1208U0C-P
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文献信息
篇名 SOC中NAND Flash控制器的一种新型结构和实现方法研究
来源期刊 微电子学与计算机 学科
关键词 NAND Flash控制器 两级缓存构 流水 软硬件划分 等待时间
年,卷(期) 2009,(6) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 89-92
页数 4页 分类号 TN403
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 陈杰 中国科学院微电子研究所 247 3126 30.0 49.0
2 胡东伟 中国科学院微电子研究所 7 31 4.0 5.0
3 梁宏明 中国科学院微电子研究所 2 17 2.0 2.0
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NAND Flash控制器
两级缓存构
流水
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期刊影响力
微电子学与计算机
月刊
1000-7180
61-1123/TN
大16开
1972-01-01
chi
出版文献量(篇)
9826
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0
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