中子活化法测量氙在塑料闪烁体表面吸附量的研究

• 作者: 向永春 张传飞 樊铁栓 王红侠 王茜 罗飞 迮仁德
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 氙 中子活化分析法 表面吸附 γ射线
• 年，卷（期）: 2016,（10）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 1909-1914
• 页数: 6页
• 分类号: O571.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.7538/yzk.2016.50.10.1909

摘要

采用叠层式β‐γ符合探测器测量弱放射性氙同位素时，由于氙在β探测器（BC404）内壁吸附而增大了其本底，影响后续弱样品的测量。利用中子活化分析法在痕量元素分析中的高灵敏度、无损等特点，采用14.1 MeV中子辐照吸附有氙的塑料闪烁体（BC404）样品，通过MCNP模拟计算和活化产物133 Xe和135 Xe特征γ射线的测量，获得了氙在塑料闪烁体表面的吸附量。结果表明：中子活化分析法能准确测量氙在塑料闪烁体表面的吸附量，其测量结果的相对合成标准不确定度约为22％。根据不确定度的来源对提高测量精度提出了具体建议。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	向永春	北京大学物理学院	35	95	5.0	7.0
3	张传飞	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	21	52	5.0	6.0
4	罗飞	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	34	145	7.0	10.0
5	王茜	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	15	38	4.0	5.0
8	樊铁栓	北京大学物理学院	12	30	4.0	5.0
9	王红侠	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	10	27	4.0	5.0