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Effect of gate length on breakdown voltage in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor
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| 篇名 | Effect of gate length on breakdown voltage in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor | ||
| 来源期刊 | 中国物理B（英文版） | 学科 | |
| 关键词 | AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs) breakdown voltage gate length | ||
| 年，卷（期） | 2016,（2） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 421-425 | |
| 页数 | 5页 | 分类号 | |
| 字数 | 语种 | 中文 | |
| DOI | 10.1088/1674-1056/25/2/027303 | ||
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AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs)
breakdown voltage
gate length
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中国物理B(英文版)
主办单位：
中国物理学会和中国科学院物理研究所
出版周期：
月刊
ISSN：
1674-1056
CN：
11-5639/O4
开本：
出版地：
北京市中关村中国科学院物理研究所内
邮发代号：
创刊时间：
语种：
eng
出版文献量（篇）
17050
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