DCVSL的SET特性分析

• 作者: 成祥 李磊 程伟
• 来源期刊: 电子技术应用
• 学科: 工学
• 关键词: 电路模拟 SET DCVSL 脉冲展宽
• 年，卷（期）: 2016,（12）
• 所属期刊栏目: 通信与网络
• 页码范围: 81-84
• 页数: 4页
• 分类号: TN406
• 字数: 1987字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16157/j.issn.0258-7998.2016.12.021

摘要

利用SPICE电路模拟研究了DCVSL的SET特性.模拟了单端的SET脉冲在DCVSL中的传播特性,结果表明单端的SET脉冲经过两级DCVSL反相器后就基本被消除了.模拟了在负载和阈值电压不对称的条件下,双端的SET脉冲在DCVSL反相器链中的脉冲展宽效应.结果表明,在最差情况下,DCVSL中的SET脉冲展宽效应比CMOS更明显;在典型情况下,双端的SET脉冲在DCVSL反相器链的传播过程中并没有展宽.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李磊	电子科技大学电子科学技术研究院	39	150	6.0	10.0
2	程伟	电子科技大学电子科学技术研究院	12	25	3.0	4.0
3	成祥	电子科技大学电子科学技术研究院	3	5	2.0	2.0