热退火、激光束和电子束等作用对纳米硅制备及其局域态发光特性的影响?

• 作者: 刘世荣 吴学科 王刚 秦朝介 董泰阁 黄伟其
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 激光退火 电子束辐照 晶化 纳米硅
• 年，卷（期）: 2016,（10）
• 所属期刊栏目: 电磁学、光学、声学、传热学、经典力学和流体动力学
• 页码范围: 104202-1-104202-7
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.65.104202

摘要

在纳米晶体硅制备的过程中，晶化处理是影响和提高纳米硅发光效率的重要制备环节。热退火、激光退火和电子束辐照是使纳米硅样品晶化的不同方式。实验表明：选取适当的晶化方式和参量对制备纳米硅晶体结构至关重要，特别是在制备硅量子点和量子面的过程中控制好参量，可以得到较高的发光效率。有趣的是，在实验中发现：当晶化时间较短(如低于20 min)时，可以获得较好的纳晶硅结构(如量子点结构)，对应于较好的纳晶硅光致发光(PL)和掺杂局域态发光；当晶化时间较长(如超过30 min)时，纳米晶体硅结构被破坏，致使PL谱逐渐减弱与消失。结合热退火、激光退火和电子束辐照对纳米硅晶化过程，本文建立起晶化时间对纳米硅局域态发光影响机理的物理模型，解释了晶化时间对纳米硅局域态发光的影响。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄伟其	贵州大学纳米光子物理研究所	40	77	5.0	6.0
2	刘世荣	中国科学院地球化学矿床化学研究所国家重点实验室	38	338	10.0	17.0
3	王刚	贵州大学纳米光子物理研究所	5	12	1.0	3.0
4	董泰阁	贵州大学纳米光子物理研究所	1	0	0.0	0.0
5	秦朝介	中国科学院地球化学矿床化学研究所国家重点实验室	1	0	0.0	0.0