纳米CMOS电路在单粒子效应下可靠性分析

• 作者: 吴铁峰 赵智超
• 来源期刊: 电脑知识与技术：学术交流
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米CMOS电路 单粒子效应 可靠性
• 年，卷（期）: 2016,（7X）
• 页码范围: 261-262
• 页数: 2页
• 分类号: TP311

摘要

随着电子元器件的尺寸在不断的发生变化,使得电容和电压不断的降低,纳米CMOS电路对单粒子效应(SEE)的敏感性更高,并且由于单粒子的串扰和多结点翻转现象明显增加,使得工作的可靠性受到一定的影响。为了更好的保证纳米CMOS电路在SEE下的可靠性,从多方面来对其进行分析和研究,最后通过研究发现,影响纳米CMOS电路在SEE下的可靠性的焦点可能是:抗单粒子瞬态的加固研究、CMOS电路的抗辐射加固设计研究、仿真及加固研究等。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵智超		76	89	4.0	6.0
2	吴铁峰		75	110	5.0	6.0