NiO纳米线的制备及其排列的研究

• 作者: 黄晓炜
• 来源期刊: 科技展望
• 关键词: NiO纳米线 制备 排列 研究
• 年，卷（期）: 2016,（30）
• 所属期刊栏目: 技术与应用
• 页码范围: 170
• 页数: 1页
• 字数: 1382字
• 语种: 中文

摘要

氧化镍纳米材料在纳米电子器件和光电器件的应用中有着巨大的优势和潜力.本文基于国内外最新研究进展,系统的综述了近年来氧化镍一维纳米材料制备和有序排列的方法.一维纳米材料不仅在研究材料的结构和粒子的尺寸对其机械性能和物理、化学性质的影响具有重要意义,而且这类材料的研究结果为其他低维材料制备提供了基础,并且是纳米电子器件与微型传感器制备的基本元件.现今电子工业的小型化趋势更使得一维纳米结构成为研究的热门[1].NiO、Cu2 O和MoO3等[2]金属氧化物半导体材料,具有良好的电学、磁学以及催化性能,其中NiO为p-型半导体材料,具有着色效率高、成本低以及稳定性好等优点,因此在电子器件方面有很好的应用价值[3].

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄晓炜	桂林航天工业学院理学部	1	0	0.0	0.0