SiC MOSFET高频感应加热电源系统研究

• 作者: 史孟 彭咏龙 李亚斌 江涛
• 来源期刊: 电气传动
• 学科: 工学
• 关键词: 金属氧化物半导体场效应晶体管 感应加热 驱动电路 锁相控制 保护
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 页码范围: 70-73
• 页数: 4页
• 分类号: TM464
• 字数: 2102字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19457/j.1001-2095.20170315

摘要

采用新型功率开关器件SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),利用多器件并联和多逆变桥并联的扩容方式完成了800 kHz/150 kW高频大功率感应加热电源的系统研制.设计了易实现且实用性较强的SiC MOSFET驱动电路,提出带延时补偿调整的锁相控制策略,并对直流过流检测保护电路和失锁检测保护电路进行了设计.试验结果表明了所设计的感应加热电源能够实现安全可靠运行.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	彭咏龙	华北电力大学电气与电子工程学院	85	846	17.0	25.0
2	李亚斌	华北电力大学电气与电子工程学院	64	580	13.0	21.0
3	史孟	华北电力大学电气与电子工程学院	6	20	2.0	4.0
4	江涛	华北电力大学电气与电子工程学院	5	20	2.0	4.0