基于Heusler合金的自旋零能隙半导体

• 作者: 徐桂舟 徐锋 王文洪
• 来源期刊: 中国材料进展
• 学科: 物理学
• 关键词: Heusler合金 自旋零能隙半导体 磁电阻 半金属 自旋注入
• 年，卷（期）: 2017,（9）
• 所属期刊栏目: 磁性材料专栏
• 页码范围: 616-624
• 页数: 9页
• 分类号: O469
• 字数: 4282字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7502/j.issn.1674-3962.2017.09.02

摘要

自旋零能隙半导体是一类具有接近100％的高自旋极化率,同时与工业半导体具有良好兼容特性的新型自旋电子学材料,在自旋注入、自旋晶体管中具有潜在应用前景.从理论计算的电子结构,结合实验的磁性、输运性质能方面对包括Hg2CuTi型,LiMgPdSn四元等比型的Heusler自旋零能隙半导体及其研究进展进行了概述.阐明了Heusler合金中自旋零能隙半导体形成的机制和经验规律,揭示出原子有序、组分调制对自旋零能隙半导体性质的影响.通过对基于Heusler自旋零能隙半导体的自旋注入体系的构建,展望了自旋零能隙半导体的发展趋势和潜在应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王文洪	中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室	20	129	6.0	11.0
2	徐锋		15	42	5.0	6.0
3	徐桂舟		4	3	1.0	1.0