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摘要:
为了改善NAND闪存不耐擦写的特性,本文对传统的损耗均衡算法(HWL算法)进行优化,主要包括触发机制的优化和将现有的静态损耗均衡与动态损耗均衡策略相结合的优化策略.最后根据需求设计了评估损耗均衡算法效果的测试实验.结果表明:与当前算法相比,本优化算法展现了良好的磨损均衡效果,解决了NAND闪存不耐擦写的缺陷.
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文献信息
篇名 关于NAND闪存损耗均衡算法的优化
来源期刊 南华大学学报(自然科学版) 学科 工学
关键词 NAND闪存 损耗均衡 算法优化
年,卷(期) 2017,(3) 所属期刊栏目 数理·计算机科学
研究方向 页码范围 86-91
页数 6页 分类号 TP333
字数 4070字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1673-0062.2017.03.017
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 赵峰 安徽工业大学管理科学与工程学院 20 95 7.0 8.0
2 刘博妍 安徽工业大学管理科学与工程学院 2 11 2.0 2.0
3 朱戈 安徽工业大学管理科学与工程学院 1 2 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
NAND闪存
损耗均衡
算法优化
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
南华大学学报(自然科学版)
双月刊
1673-0062
43-1442/N
大16开
湖南衡阳市常胜西路28号南华大学内
42-102
1987
chi
出版文献量(篇)
2087
总下载数(次)
5
总被引数(次)
9174
论文1v1指导