一种抗辐射加固型低压差线性稳压器的研制

• 作者: 刘智 姚和平 时应璇 杨力宏 赵光炜
• 来源期刊: 太赫兹科学与电子信息学报
• 学科: 工学
• 关键词: 低压差线性稳压器 总剂量辐射 中子辐射
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: 微电子、微系统与物理电子学
• 页码范围: 134-138
• 页数: 5页
• 分类号: TN433
• 字数: 2922字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11805/TKYDA201701.0134

摘要

介绍了一种抗辐射加固型低压差线性稳压器(LDO)的电路设计,内部集成了精密基准源、误差放大器、输出调整管和上电复位时间控制等模块电路.重点介绍了采用总剂量、中子效应的器件参数变化预估方法进行仿真验证.芯片采用0.6μm BiCMOS工艺制造,测试验证结果表明,产品在满足使用要求的同时,具备抗电离总剂量3×103 Gy(Si)、抗中子注量0.6×1014n·cm-2的性能,适用于核辐射环境.辐射测试结果证明了设计的正确性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘智	西安微电子技术研究所集成电路设计事业部	13	42	3.0	6.0
2	杨力宏	西安微电子技术研究所集成电路设计事业部	5	5	1.0	2.0
3	姚和平	西安微电子技术研究所集成电路设计事业部	4	1	1.0	1.0
4	时应璇	西安微电子技术研究所集成电路设计事业部	3	0	0.0	0.0
5	赵光炜	西安微电子技术研究所集成电路设计事业部	2	0	0.0	0.0