聚吡咯包覆CoMoO4纳米片自组装多孔柱阵列的制备及其赝电容性能研究

• 作者: 张志强 戎泽 林金鑫 袁永锋 郭绍义
• 来源期刊: 浙江理工大学学报（自然科学版）
• 学科: 化学
• 关键词: CoMoO4 聚吡咯 电化学聚合 超级电容器
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: 材料科学与技术
• 页码范围: 18-23
• 页数: 6页
• 分类号: O614.81|TB331
• 字数: 5106字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-3851.2017.01.004

摘要

采用水热法结合电化学聚合技术在泡沫镍上生长聚吡咯包覆的 CoMoO4纳米片自组装多孔柱阵列。通过 XRD、FTIR和 SEM分析产物的组成与结构，发现产物呈现聚吡咯包覆 CoMoO4纳米片自组装多孔柱阵列的复合结构。通过恒流充放电、循环伏安法研究CoMoO4的超电容性能，在电流密度为100 mA?g－1的条件下，包覆CoMoO4的比电容为1205 F?g－1；在200 mA?g－1充放电循环3000次后，比电容值仍保持为初始值的85．7％，是未包覆CoMoO4材料的1．6倍，聚吡咯包覆 CoMoO4纳米片自组装多孔柱阵列具有良好的赝电容特性和循环稳定性。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭绍义	浙江理工大学机械与自动控制学院	56	181	6.0	12.0
2	袁永锋	浙江理工大学机械与自动控制学院	36	52	3.0	6.0
3	张志强	浙江理工大学机械与自动控制学院	6	2	1.0	1.0
4	戎泽	浙江理工大学机械与自动控制学院	4	1	1.0	1.0
5	林金鑫	浙江理工大学机械与自动控制学院	5	6	1.0	2.0