成像级CdSe中红外波片的表面处理工艺研究

• 作者: 冯志伟 张志勇 曾体贤 杨辉 熊祝韵
• 来源期刊: 影像科学与光化学
• 关键词: 硒化镉晶体 中红外波片 化学机械抛光
• 年，卷（期）: 2017,（2）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 168-173
• 页数: 6页
• 字数: 1572字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7517/j.issn.1674-0475.2017.02.168

摘要

本文利用改进的垂直无籽晶气相升华法生长出尺寸达Φ30×40 mm的优质硒化镉(CdSe)单晶体.解理晶体,通过X射线衍射仪测试精确的获得(001)晶面.然后定向切割、研磨、抛光,获得了尺寸为20×20×3 mm3的CdSe中红外波片初胚.以弱碱性溶液与刚玉粉的混合液作为抛光液,利用化学机械抛光法对CdSe中红外波片进行表面抛光处理.结果显示,抛光处理有效的减少了波片表面的损伤层、划痕及结构缺陷,晶片表面的粗糙度降低,在2～20μm波段透过率较高(达到70 ％),满足中红外波片的应用需求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨辉	西华师范大学物理与空间科学学院	20	18	3.0	3.0
2	熊祝韵	西华师范大学物理与空间科学学院	2	1	1.0	1.0