基于薄膜电阻的波导E-T结功率分配/合成器

• 作者: 汪春霆 王斌 田兵
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: Ka频段 功率分配/合成器 波导E-T结 薄膜电阻
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 页码范围: 114-119
• 页数: 6页
• 分类号: TN73
• 字数: 3643字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2017.01.020

摘要

单个器件输出功率不满足系统要求时,功率合成技术是提高系统输出功率的有效方法.本文详细研究了基于薄膜电阻的波导E-T结功率分配/合成器,最终设计了一种新型的基于薄膜电阻的波导E-T结.该结构具有高隔离度、低插入损耗、小体积、宽频带等优点.通过合理设计薄膜电阻的长宽比,尽量增大薄膜电阻的面积,并且采用高导热的氮化铝陶瓷基板作为微带和薄膜电阻的介质基板,提高了基于薄膜电阻的波导E-T结承受的功率.利用三维电磁场仿真软件HFSS对其进行了建模仿真,加工的实物经过测试在25～34 GHz插入损耗小于0.2 dB,回波损耗优于-15 dB,隔离度优于10 dB.经对比,实测结果与仿真结果吻合,具有较好的工程应用价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王斌		57	163	7.0	10.0
2	汪春霆		28	105	6.0	8.0
3	田兵		5	19	3.0	4.0