一种高压摆率低电压CMOS AB类放大器的设计

• 作者: 何尚平 罗小青 胡荣
• 来源期刊: 沈阳工业大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 模拟集成电路 CMOSAB类放大器 转换速率 低电压 低功耗 单位增益频率 相位裕度 电阻负载
• 年，卷（期）: 2017,（6）
• 所属期刊栏目: 信息科学与工程
• 页码范围: 680-685
• 页数: 6页
• 分类号: TN432
• 字数: 2660字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7688/j.issn.1000-1646.2017.06.15

摘要

为了增加单位增益频率与压摆率,并能够工作在低电源电压下,同时降低偏置电流,提出了一种改进的基于0.18μm CMOS工艺的AB类放大器,其采用多级放大器结构,第一级为具有电流镜负载的NMOS差分对,第二反相级由共源放大器实现,第三极为AB类放大器,其能够在±500 mV电源下工作.电路仿真结果显示该放大器相位裕度为87°;总补偿电容为5 pF,与传统放大器相比减少了50%;单位增益频率为21.17 MHz,比传统放大器增大约10倍;压摆率为7.5和8.57 V/μs,与传统电路相比,分别增加了2.8倍和2.6倍.此外,与其他文献相比,该放大器具有较大的单位增益带宽和压摆率以及较小的功耗.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗小青	南昌大学科学技术学院	31	121	7.0	9.0
2	何尚平	南昌大学科学技术学院	27	107	6.0	9.0
3	胡荣	南昌大学科学技术学院	20	49	4.0	6.0