光配向PI固烤时间与曝光能量对LCD光学及残影的影响

• 作者: 刘政明 周学芹 杨丽 林熙乾
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 光配向 固烤时间 UV曝光能量 光学性能 残影
• 年，卷（期）: 2017,（8）
• 所属期刊栏目: 材料科学
• 页码范围: 596-600
• 页数: 5页
• 分类号: TN141.9
• 字数: 2271字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20173208.0596

摘要

采用光配向技术使PI获得配向能力并制得IPS型LCD,通过AOI光学自动检测设备以及DMS光学测量系统对在不同PI固烤时间和UV曝光能量下获得样品的预倾角、对比度及穿透率进行了量测,并研究了各条件下样品的残影(Image Sticking)性能.结果显示:在900~2 700 s,400~600 mJ/cm2范围内,固烤时间和曝光能量对LCD光学性能影响较小,但对残影性能影响较大,IS随曝光量增大有恶化的趋势,且该趋势在高亚胺化程度下趋于平缓;调整固烤时间及曝光能量可以获得较佳的残影性能,固烤时间1 800 s,曝光能量400~500 mJ/cm2条件的LCD残影性能较佳.