TFT-LCD残影不良的研究与改善

• 作者: 刘利萍 刘岩龙 李静 汤展峰 范恒亮 黄静
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 残影 扭曲向列型 配向弱区 内部电场
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 270-275
• 页数: 6页
• 分类号: TN141.9
• 字数: 2165字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20163103.0270

摘要

影像残留是TFT-LCD,特别是TN型产品常见的不良,对产品良率影响很大.本文从产品设计、工艺参数、工艺管控3个方面对残影进行分析.发现产品设计时Data线两侧段差过大,是导致残影发生的主要原因,通过增加配向膜厚度和摩擦强度值可以有效降低残影,实验得出配向膜膜厚高于110 nm,摩擦强度高于5.5N,m时无残影发生.通过控制配向膜工程与摩擦工程间的延迟时间在5h,摩擦工程与对盒工程间的延迟时间在10 h,并且严格管控ITO偏移量可以有效减少Panel内部电场,从而降低残影.通过以上措施,对于15.6HD产品,良率提升了10％,为企业高效生产奠定基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范恒亮		1	8	1.0	1.0
2	汤展峰		2	9	1.0	2.0
3	刘利萍		4	15	2.0	3.0
4	李静		1	8	1.0	1.0
5	黄静		1	8	1.0	1.0
6	刘岩龙		1	8	1.0	1.0