Ta2 O5-PMMA复合栅绝缘层对OFETs性能的影响

• 作者: 任利鹏 尹强 李春静 王伟 石晓东
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: Ta2 O5-PMMA 绝缘层 OFETs 迁移率 开关电流比
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: ?器件制备及器件物理?
• 页码范围: 70-75
• 页数: 6页
• 分类号: O47|TN321+.5
• 字数: 1160字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20173801.0070

摘要

选用五氧化二钽(Ta2 O5)-聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)复合材料作为栅绝缘层制备了并五苯有机场效应晶体管(OFETs)。通过在 Ta2 O5表面旋涂一层 PMMA 可以降低栅绝缘层的表面粗糙度，增大其场效应晶体管的迁移率。研究了厚度在20~60 nm 范围内的 PMMA 对复合绝缘层表面形貌、粗糙度以及器件电学性能的影响。结果表明，当 PMMA 厚度为40 nm 时，器件的电学性能最佳。与单一的 Ta2 O5栅绝缘层器件相比，其场效迁移率由4.2×10-2 cm2／(V·s)提高到0.31 cm2／(V·s)；栅电压增加到-20 V 时，开关电流比由2.9×102增大到2.9×105。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王伟	河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室	50	144	7.0	10.0
2	李春静	河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室	8	37	2.0	6.0
3	任利鹏	河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室	3	2	1.0	1.0
4	石晓东	河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室	6	24	2.0	4.0
5	尹强	河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室	4	23	2.0	4.0