P-N结太阳电池暗特性的数值分析

• 作者: 张翠丽 王月媛 王秀英 胡建民
• 来源期刊: 哈尔滨师范大学自然科学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 固体物理学 太阳电池 P-N结 暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线
• 年，卷（期）: 2017,（6）
• 页码范围: 39-42
• 页数: 4页
• 分类号: O48
• 字数: 1768字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5617.2017.06.009

摘要

以GaAs/Ge太阳电池为例使用PC1D太阳电池模拟程序分析P-N结太阳电池的串联电阻、并联电阻、反向饱和电流和品质因子对其暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线影响的基本规律.研究结果表明,串联电阻的变化对开启电压没有影响,而随串联电阻的增大,在正向电压高于开启电压的范围内暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线斜率减小;在正向电压低于开启电压范围内Ⅰ-Ⅴ特性曲线斜率随并联电阻的减小逐渐增大并接近纯电阻电路的Ⅰ-Ⅴ特性;随二极管反向饱和电流的增大,P-N结的开启电压明显减小,而随品质因子的增大开启电压基本不变.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王月媛		19	23	3.0	4.0
2	胡建民		37	135	7.0	10.0
3	张翠丽		1	0	0.0	0.0
4	王秀英		3	20	2.0	3.0