盐酸胍对钌在含双氧水的二氧化硅水溶胶中化学机械抛光的影响

• 作者: 何彦刚 周建伟 季军 张文倩 杜义琛 王辰伟
• 来源期刊: 电镀与涂饰
• 学科: 工学
• 关键词: 钌 化学机械抛光 硅溶胶 双氧水 盐酸胍 极化曲线 去除速率
• 年，卷（期）: 2017,（17）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 915-919
• 页数: 5页
• 分类号: TG176|TG178
• 字数: 2833字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19289/j.1004-227x.2017.17.003

摘要

根据Zeta电势测量、极化曲线测量和原子力显微镜观察的结果,探讨了盐酸胍(GH)在Ru化学机械抛光(CMP)过程中的作用.结果表明:在pH=9的5％ SiO2+ 0.15％ H2O2抛光液中,GH的添加可以大幅度提高钌的去除速率.当GH浓度为80 mmol/L时,钌的去除速率最佳.在相同浓度下,GH对Ru去除速率的提高效果优于KC1,皆因GH除了可以提升SiO2颗粒对Ru表面的机械作用之外,还能加速Ru腐蚀.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周建伟	河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室	40	197	8.0	11.0
2	何彦刚	河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室	21	142	6.0	11.0
3	王辰伟	河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室	80	287	8.0	10.0
4	杜义琛	河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室	2	4	1.0	2.0
5	张文倩	河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室	11	36	3.0	5.0
6	季军	河北工业大学电子信息工程学院	2	4	1.0	2.0