In掺杂对Cu2SnS3结构和电输运性能的影响

• 作者: 沈亚伟 潘林 王一峰
• 来源期刊: 南京工业大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: Cu2SnS3 In掺杂 结构转变 功率因子
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 页码范围: 21-25
• 页数: 5页
• 分类号: TQ125.1
• 字数: 3982字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-7627.2017.03.005

摘要

通过固相合成法制备In掺杂p型Cu2SnS3的致密块体Cu2Sn1-xInxS3,考察其晶体结构和电输运特性.结果表明:In置换Sn引入空穴极大地提高电导率,且增加价带顶的简并度(三重),进而得到合适的赛贝克系数.x=0.20时Cu2Sn0.8In0.2S3的功率因子在673 K时达到0.75 mW/(m?K2).随着In掺杂量的增大,Cu2SnS3的晶体结构从有序的单斜相向无序的立方相和四方相结构转变,有效地抑制声子传播.利用理论最低晶格热导和Wiedemann-Franz定律计算的电子热导估算量纲为1的热电优值(ZT),在673 K时Cu2Sn0.8Zn0.2S3的ZT高达0.8,显示Cu2SnS3作为新型环保型热电材料的巨大潜力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王一峰	南京工业大学材料科学与工程学院	3	1	1.0	1.0
2	沈亚伟	南京工业大学材料科学与工程学院	1	1	1.0	1.0
3	潘林	南京工业大学材料科学与工程学院	2	1	1.0	1.0