ZnO/ZnS大面积单晶异质结及其光电性能研究

• 作者: 孟祥敏 王磊 高健
• 来源期刊: 影像科学与光化学
• 关键词: ZnS 外延生长 单晶异质结 光电探测
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 712-719
• 页数: 8页
• 字数: 3035字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7517/j.issn.1674-0475.2017.04.031

摘要

ZnO和ZnS是重要的Ⅱ-Ⅵ族宽禁带半导体材料,二者之间形成的异质结具有Ⅱ型能带结构,可以促使受激载流子实现空间分离,延长受激载流子的寿命,从而提高材料的光催化和光电探测性能.本文利用物理气相沉积方法,首次在ZnO块状单晶衬底上生长了一层ZnS单晶薄膜,薄膜由厚约4 nm、边长几百纳米,取向一致的等边三角形纳米片组成.X射线衍射和透射电子显微镜的表征结果显示,ZnS薄膜与ZnO衬底具有单一外延取向关系.阴极射线荧光光谱表明ZnS薄膜的制备显著提高了ZnO单晶片可见光荧光发光峰的强度.此外,对ZnO/ZnS异质结的紫外光电探测性能的研究结果显示,异质结对不同波长的紫外光均有响应,光响应的上升弛豫时间和下降弛豫时间分别为200 ms和1050 ms,展示了较好的光电应用潜力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王磊	中国科学院理化技术研究所光化学转换与功能材料重点实验室	346	2763	24.0	41.0
5	孟祥敏	中国科学院理化技术研究所光化学转换与功能材料重点实验室	19	31	3.0	4.0