基于增强型氮化镓器件的两级DC/DC变换器设计

• 作者: 俞作良 和军平 王士民 陈雷雨
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 高电子迁移率晶体管 变换器 软开关
• 年，卷（期）: 2017,（9）
• 所属期刊栏目: 宽禁带半导体器件在电力电子技术中的应用专辑
• 页码范围: 12-15,19
• 页数: 5页
• 分类号: TN303
• 语种: 中文

摘要

设计了一台以增强型氮化镓(eGaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)为开关器件的450 W DC/DC模块电源.主功率电路采用同步整流Buck+软开关推挽的两级结构.针对eGaN HEMT应用中的驱动回路寄生电感的影响和驱动印制电路板(PCB)设计改善、开关管死区时间对软开关效果的影响和优化、eGaN HEMT主电路多层PCB布局等关键设计进行了介绍.最后,搭建八层板结构的样机,实测效率可达95％,证明了设计的合理性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	和军平		30	306	12.0	17.0
2	陈雷雨		1	0	0.0	0.0
3	俞作良		1	0	0.0	0.0
4	王士民		1	0	0.0	0.0