背减薄过程中面阵探测器形变研究

• 作者: 司乐飞 孟庆端 孟超 张晓玲
• 来源期刊: 航空兵器
• 学科: 工学
• 关键词: 面阵探测器 InSb 光敏元芯片 芯片厚度 形变 ANSYS
• 年，卷（期）: 2017,（2）
• 所属期刊栏目: 航空武器技术
• 页码范围: 55-59
• 页数: 5页
• 分类号: TJ760|TN215
• 字数: 2824字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19297/j.cnki.41-1228/tj.2017.02.011

摘要

为提高InSb面阵探测器的探测率,需要借助背减薄工序把InSb光敏元芯片从300μm减薄到10μm,这一过程通常决定了面阵探测器的成品率.为了解面阵探测器在背减薄工序中的形变规律,针对典型器件结构,借助ANSYS软件,基于等效建模思路,建立了适用于InSb面阵探测器的三维结构模型,调整InSb光敏元芯片厚度,模拟探测器形变特征及分布随背减薄工艺实施过程的变化规律.模拟结果表明:当InSb光敏元芯片较厚时,面阵探测器的整体形变以弯曲变形为主,其中心区域上凸明显;随着InSb光敏元芯片逐步减薄,其中心区域的上凸变形逐步弱化,当InSb光敏元芯片厚度减薄到12μm时,探测器上表面屈曲变形占优,且随着InSb光敏元芯片厚度的减小而愈加清晰可见,此时探测器整体弯曲变形很弱.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张晓玲	河南科技大学信息工程学院	24	57	3.0	6.0
2	孟庆端	中国空空导弹研究院红外探测器技术航空科技重点实验室	35	101	5.0	8.0
4	孟超	中国空空导弹研究院红外探测器技术航空科技重点实验室	8	24	3.0	4.0
7	司乐飞		2	1	1.0	1.0