槽型SiC MPS二极管的优化设计

• 作者: 何清源 廖天 张凯 方健 杨霏 王嘉铭 罗小蓉
• 来源期刊: 智能电网
• 学科: 工学
• 关键词: SiC 槽 MPS 反向漏电流 非均匀原胞 导通电阻
• 年，卷（期）: 2017,（8）
• 所属期刊栏目: 高压大功率SiC 材料、器件及应用
• 页码范围: 790-794
• 页数: 5页
• 分类号: TN315
• 字数: 2679字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14171/j.2095-5944.sg.2017.08.011

摘要

提出一种具有低反向泄漏电流和低导通电阻的SiC MPS二极管,它利用刻槽注入P区的方法突破SiC中P型离子注入深度的限制,同时采用一种新型非均匀原胞拓扑结构提高单极电流.阻断时,槽底注入的P区对肖特基结电场起到更好的屏蔽作用,减小器件反向漏电流;开态时,增大的肖特基结面积使得器件导通电阻减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗小蓉	电子科技大学微电子与固体电子学院	18	62	5.0	7.0
2	方健	电子科技大学微电子与固体电子学院	35	304	9.0	16.0
3	杨霏		14	36	3.0	5.0
4	张凯	电子科技大学微电子与固体电子学院	7	19	2.0	4.0
5	何清源	电子科技大学微电子与固体电子学院	2	3	1.0	1.0
6	廖天	电子科技大学微电子与固体电子学院	2	3	1.0	1.0
7	王嘉铭		2	3	1.0	1.0